Auf der diesjährigen Design Automation Conference hat IBM (NYSE: IBM) neue Halbleiterprodukte vorgestellt, die die in jüngerer Zeit erreichten Technologiefortschritte in der Chiptechnologie nützen.
Eines dieser Produkte, der neue Cu-45 High Performance Custom Chip (ASIC) führt die Silicon-On-Insulator-(SOI-)Technologie, die ursprünglich ausschließlich für Hochleistungsmikroprozessoren verwendet wurde, im Kommunikationsbereich und in anderen wichtigen Marktsegmenten ein. Der Cu-45HP ASIC ist das erste Produkt einer neuen Generation von Embedded Dynamic Random Access Memory (eDRAM), der in Silicon-on-Insulator- (SOI-)Technologie implementiert wird.
ASICs (Application Specific Integrated Circuits) sind spezialisierte Halbleiter, die dafür entwickelt wurden, es Unternehmen zu ermöglichen, ihre Produkte in Branchen wie beispielsweise Verbraucherelektronik, Netzwerkgeräten, Speicheranwendungen, Raumfahrt, Verteidigung und bildintensiven Multimedia-Anwendungen besser zu differenzieren. Ein Beispiel für einen ASIC ist ein Chip, der speziell für den Gebrauch in Mobiltelefonen entwickelt wurde.
Die SOI-Technologie bietet bis zu 30 Prozent Leistungssteigerung im Vergleich zu Standard-CMOS-Technologie (Complementary Metal-Oxide).
IBMs neue 45 nm eDRAM-Technologie, die in SOI implementiert wird, kann die On-Processor-Leistung signifikant erhöhen. Dabei benötigt sie rund zwei Drittel weniger Platz und nur ein Fünftel des Standby-Verbrauchs eines konventionellen SRAMs (Static Random Access Memory).
Auch wurden drei zusätzliche digitale und analoge IBM Halbleiter-Produkte für mobile Handsets und andere schnurlose Geräte vorgestellt – mit einer weiteren On-Chip-Integration für Kosteneinsparungen und Verbesserung der Leistung und des Gewichtsverhältnisses:
SiGe BiCMOS 5PAe – dieses Silizium-Germanium-basierte analoge Angebot ist das erste seiner Art von IBM, das auf der Through-Silicon-Via-Technologie basiert. Es kann die Kosten für Kunden, die Verstärkern für Mobiltelefone, schnurlose Telefone und WLAN/WiMAX-Anwendungen entwickeln, senken.
CMOS 11LP- optimiert für niedrigere Device-Leckverluste im Handset-Design. Das Angebot schließt leistungsfähigen Low-Leakage-SRAM ein, zwei standardisierte Cell-Libraries und wird auf Basis aktuellster Immersionsphotolithographie-Technik gebaut
SiGe BiCMOS 6WL-Technologie – eine kostenoptimierte Version vorhandener IBM Technologie für Anwender, die hohe Leistung für Verbraucherlösungen wie mobile Telefone, WLAN- und GPS-Geräte suchen, die in hoher Stückzahl gebaut werden sollen.
Die SiGe BiCMOS 6WL-Designkits von IBM sind ab sofort verfügbar. Die Einführung von SiGe BiCMOS 5PAe-Systemen ist für diesen Sommer geplant und erste CMOS 11LP Foundry-Produkte sollen im Laufe des Jahres folgen. Der Cu-45HP ASIC wird voraussichtlich ab Frühjahr 2008 erhältlich sein.
Weitere Informationen in der original US-Presseinformation anbei.
Zusätzliche Informationen unter: www.ibm.com/chips/asics
IBM Delivers Chip Technology Innovations to Market
New Technologies Aimed at Communications, Storage and Mobile Markets to Help Improve Chip Integration on Wireless Devices, Enable Faster Performance at Lower Power
SAN DIEGO, CA – 05 Jun 2007: At the annual Design Automation Conference IBM (NYSE: IBM) today announced new semiconductor products that leverage several IBM-generated chip technology breakthroughs. One of these offerings, IBM’s new Cu-45 High Performance Custom Chip (ASIC), represents the commercial introduction of Silicon On Insulator (SOI) technology — historically only used for high performance microprocessors — into communications, consumer and other major market segments. In addition, the Cu-45HP ASIC offering is the first commercial use of a new generation of embedded dynamic random access memory (eDRAM) implemented in Silicon-on-Insulator (SOI) technology — an innovation introduced February 2007 at the International Solid State Circuits Conference (ISSCC).
ASIC’s are specialized semiconductors designed to allow clients to differentiate their products in industries that include aerospace, defense, storage, consumer electronics, networking devices and other image-intensive, multi-media applications. A chip designed solely to run in a cell phone is an example of an ASIC.
SOI technology — which has been part of six generations of Power Architecture processors in IBM server products — provides up to a 30 percent performance boost compared with industry standard complementary metal-oxide (CMOS) technology.
IBM’s new 45nm eDRAM technology implemented in SOI can dramatically improve on-processor memory performance in about one-third the space with one-fifth the standby power of conventional SRAM (static random access memory).
Also being announced today are three additional digital and analog IBM semiconductor product offerings targeting mobile handsets and other wireless products — including the capability to further on-chip integration for improved cost, performance and density:
- SiGe BiCMOS 5PAe – this silicon germanium-based analog offering is the first-ever IBM product based on the IBM through-silicon via technology and can lower costs for clients who are designing power amplifiers for cell phones, wireless phones and WLAN/WiMAX applications.
- CMOS 11LP – optimized for lower device leakage for handset design, the offering includes performance and low leakage SRAM, two standard cell libraries, and is built on state-of-the-art immersion photolithography technology.
- SiGe BiCMOS 6WL technology – a cost-optimized version of existing IBM technology aimed at bringing value to clients demanding high performance analog for high-volume consumer applications including mobile phones, WLAN, and global positioning devices.
„The market can now take advantage of chip products that harness IBM’s leadership in research and innovation,“ said Tom Reeves, vice president, IBM GES Semiconductors and Services. „From the first ASIC SOI chip at 45nm to the use of the new eDRAM and chip integration technologies, the advances that are part of these new semiconductor offerings enable flexible, cost-effective products that enhance the value of customized IBM semiconductor solutions.“
IBM SiGe BiCMOS 6WL design kits are available now. IBM plans to have SiGe BiCMOS 5PAe design kits available this summer and first design kits for CMOS 11LP Foundry products later in 2007. The planned availability date for Cu-45HP ASIC is in early 2008.
IBM innovations in microelectronics and the company’s groundbreaking system-on-a-Chip designs have transformed the world of semiconductors. IBM breakthroughs include High-k, which enhances the transistor’s function while allowing it to be shrunk beyond today’s limits, dual-core and multi-core microprocessors, copper on-chip wiring, silicon-on-insulator and silicon germanium transistors, strained silicon, and eFUSE, a technology that enables computer chips to automatically respond to changing conditions. The White House has awarded IBM the National Medal of Technology, the nation’s highest technical honor, for 40 years of innovation in semiconductors.
IBM chips are the heart of the company’s server and storage systems, the world’s fastest supercomputers and many of the best known and widely used communications and consumer electronics brands.
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